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MJF45H11G中文资料

MJF45H11G图片

MJF45H11G外观图

  • 大小:151.6KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):60V; DC Current Gain Min (hfe):60; Package/Case:3-TO-220; Frequency Min:50MHz ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:40MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220FP
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJF45H11G-NDMJF45H11GOS

MJF45H11G供应商

更新时间:2022-12-31 01:06:36
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